STMicroelectronics STW27N60M2-EP
$ 1.636
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.45%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics STW27N60M2-EP.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de STMicroelectronics STW27N60M2-EP desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 SnapEDA | Footprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Componentes relacionados
VishaySIHG22N60E-GE3
E-Series N-Channel 600 V 227 W 0.18 O 86 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
STMicroelectronicsSTW24N60DM2
N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
VishaySIHG22N60E-E3
MOSFET, N CH, 600V, 21A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
VishaySIHG21N60EF-GE3
227W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 84nC@ 10 V 1N 600V 176m¦¸@ 11A,10V 21A 2.03nF@100V TO-247AC 15.87mm*5.31mm*20.82mm
onsemiFCH150N65F-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 24 A, 150 mΩ, TO-247
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW27N60M2-EP suministradas por sus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 package
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3 / N-Channel 600 V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-3
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.163ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, 600V, 20A, To-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.15Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW27N60M2-EP
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.45%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Resistance163 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance1.32 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max163 mΩ
Schedule B8541290080
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics STW27N60M2-EP.