STMicroelectronics STW20NM50
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 3.885
Stock
141,682
242,531
Authorized Distributors
2
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247
TO-247
Drain to Source Voltage (Vdss)
550 V
500 V
Continuous Drain Current (ID)
20 A
20 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
Rds On Max
250 mΩ
250 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
214 W
214 W
Input Capacitance
1.48 nF
1.38 nF
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW20NM50 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 500V - 0.22Ohm - 20A - TO-247 MDmesh(TM) POWER MOSFET
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Power MOSFET Transistors N-Ch 500 Volt 20 Amp
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780S T/R
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
N Channel Mosfet, 550V, 20A, To-247; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:550V; Continuous Drain Current Id:20A; On Resistance Rds(On):0.25Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight9.071847 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)550 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.48 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation214 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation214 W
Rds On Max250 mΩ
Resistance250 mΩ
Rise Time16 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-On Delay Time24 ns
Voltage Rating (DC)550 V
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant