STMicroelectronics STW14NK50Z
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InfineonIPW50R199CPFKSA1
Mosfet Transistor, N Channel, 17 A, 550 V, 199 Mohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
InfineonIPW60R230P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO247-3 / N-Channel 600 V 16.8A (Tc) 126W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW14NK50Z suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 500V - 0.34 Ohm - 14A TO-247 Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
STW14NK50Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 14 A, 500 V, 3-PIN TO-247
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 14 A, 0.34 ohm, TO-247, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Power MOSFET Transistors N-Ch 500 Volt 14 Amp
14 A 500 V 0.38 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-247AC
STMicroelectronics NMOS MDmesh, SuperMESH, Vds=500 V, 14 A, TO-247, , 3
N-Ch+Z-Dio 500V 14A 150W 0,38R TO247
Power MOSFETs, 500V, 14A, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 14A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.34ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Current Rating14 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max380 mΩ
Resistance380 mΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time54 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant