STMicroelectronics STP90NF03L
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTP95N3LLH6
N-channel 30 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, TO-220 STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
InfineonIPP055N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 N-Channel 30 V 50A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
InfineonIPP042N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3 N-Channel 30 V 70A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
InfineonIPP034N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 N-Channel 30 V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP90NF03L suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 30V - 0.0056Ohm - 90A - TO-220 LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 30V 90A TO-220
Single N-Channel 30 V 150 W 47 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
90 A 30 V 0.0065 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
150W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 47nC@ 5 V 1individualNChannel 30V 6.5mΩ@ 45A,10V 90A 2.7nF@25V TO-220 Through hole mounting 9.15mm(height)
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Current Rating90 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time105 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max6.5 mΩ
Rise Time200 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant