STMicroelectronics STP8NM50N
$ 1.05
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP8NM50N suministradas por sus distribuidores.
N-channel 500 V, 0.73 Ohm, 5 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
N-Channel 550 V 0.79 Ohm Flange Mount MDmesh II Power MosFet - TO-220
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
45W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 14nC@ 10 V 1N 500V 790m¦¸@ 2.5A,10V 5A 364pF@50V TO-220
500 V, 5 A, 0.73 OHM N-CHANNEL MDMESHII POWER MOSFET IN TO-220 Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 0.79ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N Ch, 500V, 5A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:500V; Continuous Drain Current Id:5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP8NM50N
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +31.67%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance790 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Fall Time8.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance364 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max790 mΩ
Resistance790 mΩ
Rise Time4.4 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant