STMicroelectronics STP8NM50

Name: STMicroelectronics STP8NM50
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP8NM50

N-channel 500V - 0.7 Ohm - 8A TO-220/TO-220FP Mdmesh™power Mosfet | Mosfet N-ch 550V 8A TO-220

Obsolete

Página del fabricante Ficha técnica

Precio y existencias

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Microchip USA	STP8NM50	358	3K	Tray					0,757	2d
Win Source	WS-STP8NM50	22.000	145					0,300	0,269	10h
Worldway Electronics	STP8NM50	19.595	7	Tube		0,437	0,424	0,401	0,401	1d
Esaler Electronic	STP8NM50	1000			0,947	0,938	0,929	0,920	0,911	3d
Aztech	STP8NM50	9256			3,500	3,500	3,500	3,500	3,500	1d

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Datasheet14 páginasHace 19 años

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Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1980-01-04

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2011-10-27

LTD Date2012-04-27

Descripciones

Descripciones de STMicroelectronics STP8NM50 suministradas por sus distribuidores.

N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A TO-220/TO-220FP MDmesh™Power MOSFET | MOSFET N-CH 550V 8A TO-220

Win Source

Power MOSFET Transistors N-Ch 500 Volt 8 Amp

Mouser

N-CHANNEL 500V-0.7 OHM-8A-TO-220 MDMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

Imágenes

Augswan

Lanka Micro

iiiC

Alias de fabricantes

STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

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Especificaciones técnicas

Physical

Case/PackageTO-220

MountThrough Hole

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)8 A

Current Rating8 A

Drain to Source Resistance800 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)550 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time6 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance415 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation120 W

Min Breakdown Voltage500 V

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Elements1

Rds On Max800 mΩ

Resistance800 MΩ

Rise Time8 ns

Voltage Rating (DC)550 V

Fichas técnicas y documentos

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Cumplimiento

Clasificación ambiental

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

REACH SVHCNo

RoHSCompliant