STMicroelectronics STP7N60M2
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
VishaySIHF5N50D-E3
MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
STMicroelectronicsSTP6NK60ZFP
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP7N60M2 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.86 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP7N60M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 5 A, 650 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 600V, 5A, 150Deg C, 60W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP7N60M2
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +45.84%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance950 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance271 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max950 mΩ
Resistance950 mΩ
Rise Time7.2 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time19.3 ns
Turn-On Delay Time7.6 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant