STMicroelectronics STP6NK90ZFP
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP6NK90ZFP suministradas por sus distribuidores.
N-channel 900 V, 1.56 Ohm, 5.8 A TO-220FP Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
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MOSFET, N, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.8A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 1.56ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipa
Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.35 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max2 Ω
Rise Time45 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height9.3 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant