STMicroelectronics STP6NK60Z
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP6NK60Z suministradas por sus distribuidores.
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
STP6NK60Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6 A, 600 V, 3-PIN TO-220
Transistor MOSFET N-Ch. 6A/600V TO220 STP6NK60Z
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation
Mosfet, N, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:6A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:600V; Resistencia De Activación Rds(On):1.2Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:3.75V |Stmicroelectronics STP6NK60Z
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -1.52%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Current Rating6 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance905 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max1.2 Ω
Resistance1.2 Ω
Rise Time14 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant