STMicroelectronics STP65NF06
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Obsolete
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-07-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-02
LTD Date2021-04-02
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTP60NF06L
N-channel 60 V, 0.012 Ohm typ., 60 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP55NF06L
N-channel 60 V, 0.014 Ohm typ., 35 A StripFET II Power MOSFET in a TO-220 package
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP65NF06 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 60 V, 0.0115 Ohm, 60 A, TO-220 STripFET(TM) II Power MOSFET
STP65NF06 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 60 A, 60 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Mosfet, N Channel, 60V, 60A, To-220; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:60A; On Resistance Rds(On):0.0115Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Msl:-Rohs Compliant: Yes
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.57%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Current Rating60 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max14 mΩ
Resistance14 MΩ
Rise Time60 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant