STMicroelectronics STP45NF06
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTP20NF06L
N-channel 60 V, 0.06 Ohm typ., 20 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP45NF06 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 60 V, 0.22 Ohm typ., 38 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in a TO-220 package
STP45NF06 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 38 A, 60 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 60V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
N-Channel 60 V 28 mO 43 nC Falnge Mount StripFET II Power MosFet - TO-220
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 26A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation P
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -3.10%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight9.071847 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)38 A
Current Rating38 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance980 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation80 W
Rds On Max28 mΩ
Resistance28 mΩ
Rise Time40 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant