STMicroelectronics STP28NM60ND
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Ficha técnica oficialHace 4 años
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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STF28NM60ND N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 23 A, 650 V, 3-PIN TO-220FP
InfineonIPA60R125CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 25A TO220-FP N-Channel 650 V 25A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP28NM60ND suministradas por sus distribuidores.
STP28NM60ND N-channel MOSFET Transistor, 23 A, 600 V, 3-Pin TO-220
N-channel 600 V, 0.120 Ohm typ., 24 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-220 package
Single N-Channel 650 V 0.15 O 190 W Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
190W(Tc) 25V 5V@250µA 62.5nC@10V 1 N-Ch 600V 150mΩ@11.5A,10V 23A 2.09nF@100V TO-220 TH
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -2.70%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.09 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max150 mΩ
Rise Time21.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time92 ns
Turn-On Delay Time23.5 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant