STMicroelectronics STP220N6F7
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-10-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIRFB7540PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Diodes Inc.DMNH6008SCT
MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB / N-Channel 60 V 130A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220-3
InfineonIPA029N06NXKSA1
OptiMOS Series N-Channel 60 V 84 A (Tc) 38 W (Tc) MOSFET - PG-TO220-FP
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP220N6F7 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 60 V, 0.0021 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 120 A, 2.4 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 60V, 120A, TO220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Pow
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +25.00%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance6.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation237 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max2.4 mΩ
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