STMicroelectronics STP190N55LF3
$ 2.21
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STP190N55LF3 | 2000 | 1K | |||||||||
| Verical | STP190N55LF3 | 2000 | 1K | |||||||||
| DigiKey | 497-8810-5-ND | 644 | 1 | Tube | ||||||||
| Avnet | STP190N55LF3 | 0 | 1K | 6h | ||||||||
| Future Electronics | STP190N55LF3 | 0 | 10 | Tube |
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP190N55LF3 suministradas por sus distribuidores.
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)18 V
Input Capacitance6.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation312 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation312 W
Rds On Max3.7 mΩ
Resistance3.7 Ω
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time160 ns
Turn-On Delay Time20 ns
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant