STMicroelectronics STP13NK60ZFP
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTP14NK60ZFP
STP14NK60ZFP N-channel MOSFET Transistor, 13.5 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP
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N-Channel 500 V 380 mOhm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP
STMicroelectronicsSTP11NM60FDFP
N-Channel 600V - 0.4Ohm - 11A FDmesh(TM) POWER MOSFET (with FAST DIODE)
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP13NK60ZFP suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 600 V, 0.48 Ohm, 13 A TO-220FP Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube / MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP
STP13NK60ZFP N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 13 A, 600 V, 3-PIN TO-220FP
Single N-Channel 600 V 35 W 92 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220FP
13 A 600 V 0.55 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
MOSFET, N CH, 600V, 13A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.48ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V;
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance550 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.03 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max550 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time61 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant