STMicroelectronics STP13N80K5
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP13N80K5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
STP13N80K5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 12 A, 800 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh K5, SuperMESH5series, Vds=800 V, 12 A, TO-220encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N-CH, 800V, 12A, TO-220AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.37ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Pow
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +70.25%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance870 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max450 mΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant