STMicroelectronics STP110N8F6
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
Componentes relacionados
InfineonIPP80N08S406AKSA1
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 / N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
STMicroelectronicsSTP170N8F7
N-channel 80 V, 0.003 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
InfineonIRFB3407ZPBF
Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
STMicroelectronicsSTP130N6F7
N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP110N8F6 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 80V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
Single N-Channel 80 V 200 W 150 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
200W(Tc) 20V 4.5V@ 250¦ÌA 150nC@ 10 V 1N 80V 6.5m¦¸@ 55A,10V 110A 9.13nF@40V TO-220 9.15mm
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 80V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Input Capacitance9.13 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max6.5 mΩ
Schedule B8541290080
Fichas técnicas y documentos
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