STMicroelectronics STP10N95K5
$ 1.558
Production
Precio y existencias
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | STP10N95K5 | 44 | 1 | 23h | ||||||||
| DigiKey | 497-14568-5-ND | 857 | 1 | Tube | ||||||||
| Future Electronics | STP10N95K5 | 0 | 50 | Tube | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | STP10N95K5 | 0 | 2 | Bulk | 17h | |||||||
| Avnet | STP10N95K5 | 0 | 1K | 3h |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTP10NK80Z
N-channel 800 V, 0.78 Ohm, 9 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFETs in TO-220 package
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP10N95K5 suministradas por sus distribuidores.
STP10N95K5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 8 A, 950 V, 3-PIN TO-220
N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-220 package
N-Channel 950 V 0.8 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-220
STMicroelectronics NMOS MDmesh K5, SuperMESH5, Vds=950 V, 8 A, TO-220, , 3
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 950V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 950V, 8A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:950V; Continuous Drain Current Id:8A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP10N95K5
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage950 V
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance630 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage950 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation130 W
Rds On Max800 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant