STMicroelectronics STL19N65M5
$ 1.379
Obsolete
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | STL19N65M5 | 3000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | STL19N65M5 | 380 | 1 | |||||||||
| Verical | STL19N65M5 | 380 | 5 | |||||||||
| Mouser | 511-STL19N65M5 | 1816 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Component Stockers USA | STL19N65M5 | 4935 | >1wk |
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-07-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
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InfineonIPL65R230C7AUMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STL19N65M5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.215 Ohm typ., 12.5 A MDmesh M5 power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Ciiva
N-Channel 710 V 0.240 Ohm Power Mosfet - PowerFlat 8x8 HV
Trans MOSFET N-CH 650V 12.5A 4-Pin PowerFLAT 8x8 HV T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 5-Pin(4+Tab) Power Flat T/R
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 650V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
16/32-Bits Micros |Stmicroelectronics STL19N65M5
Excellent switching performance
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage710 V
Drain to Source Resistance240 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.24 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.8 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max240 mΩ
Resistance215 mΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time36 ns
Fichas técnicas y documentos
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