STMicroelectronics STL105NS3LLH7
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Obsolete
Precio y existencias
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Mouser | 511-STL105NS3LLH7 | 1682 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Microchip USA | STL105NS3LLH7 | 1938 | 3K | Tray | 1d | |||||||
| Component Stockers USA | STL105NS3LLH7 | 682 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-STL105NS3LLH7 | 12.900 | 50 | 23h | ||||||||
| Worldway Electronics | STL105NS3LLH7 | 8624 | 7 | Tape & Reel | 21h |
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STMicroelectronicsSTL110NS3LLH7
N-channel 30 V, 0.0027 Ohm typ., 120 A STripFET H7 Power MOSFET plus monolithic Schottky in a PowerFLAT 5x6 package
onsemiNVMFS4C05NT1G
Power Field-Effect Transistor, 116A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiNVMFS4C05NWFT1G
Power Field-Effect Transistor, 116A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STL105NS3LLH7 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 30 V 27 A 3.9 mOhm STripFET VII DeepGATE Power Mosfet - POWER FLAT
N-channel 30 V, 0.0033 Ohm typ., 27 A STripFET H7 Power MOSFET plus monolithic Schottky in a PowerFLAT 5x6 package
Trans MOSFET N-CH 30V 105A 8-Pin Power Flat T/R
Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)105 A
Drain to Source Resistance5.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.11 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation62.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation62.5 W
Rds On Max3.9 mΩ
Schedule B8541290080
Fichas técnicas y documentos
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