STMicroelectronics STI270N4F3
$ 2.55
Obsolete
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | STI270N4F3 | 0 | 5 | Bulk | 15h | |||||||
| Avnet | STI270N4F3 | 0 | 1K | 2d | ||||||||
| Farnell | STI270N4F3 | 0 | 1 | 22h | ||||||||
| Microchip USA | STI270N4F3 | 302 | 600 | Tube | 16h | |||||||
| Win Source | WS-STI270N4F3 | 20 | 10 | 23h |
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-02-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2022-11-11
LTD Date2023-05-11
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STI270N4F3 suministradas por sus distribuidores.
STMICROELECTRONICS STI270N4F3 MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 40 V, 2.1 mohm, 10 V, 4 V
N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 160 A STripFET F3 PowerMOSFET in I2PAK package
STI270N4F3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 120 A, 40 V, 3-PIN I2PAK
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
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Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation330 W
Rds On Max2.6 mΩ
Rise Time180 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height10.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant