STMicroelectronics STGYA50H120DF2

Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long
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NewarkSTGYA50H120DF24401
Arrow ElectronicsSTGYA50H120DF233.9951
VericalSTGYA50H120DF233.9952
DigiKey497-STGYA50H120DF2-ND5701Tube
TME
2
STGYA50H120DF201
13h

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Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics STGYA50H120DF2.

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Datasheet15 páginasHace 4 años

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Cadena de suministros

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Descripciones

Descripciones de STMicroelectronics STGYA50H120DF2 suministradas por sus distribuidores.

Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long
Future Electronics
535W 100A 1.2kV FS(Field Stop) TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS
EBEE
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535W 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Verical
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IHS
IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
DigiKey
535W 2.5V 2.6V@ 15V,50A 100A TO-247
UnikeyIC
TRANSISTOR, 1.2KV, 100A, MAX247;
Farnell
TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,
Augswan
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 100A, MAX-247; Continuous Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage:2.1V; Power Dissipation:535W; Collector Emitter Voltage Max:1.2kV; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Newark

Imágenes

TME
RS

Alias de fabricantes

STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics