STMicroelectronics STGW80H65DFB
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-03-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
onsemiFGH75T65SHDTL4
IGBT 650V 150A 455W TO-247 / Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
onsemiFGH75T65SQD-F155
IGBT 650V 150A 375W TO247 / Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronicsSTGW60H65DRF
STGW60H65DRF Series 650 V 120 A Field Stop Trench Gate IGBT - TO-247
STMicroelectronicsSTGW60H65F
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STGW80H65DFB suministradas por sus distribuidores.
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STGW80H65DFB, IGBT TRANSISTOR, 120 A 650 V, 3-PIN TO-247
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
469W 120A 650V Trench Field Stop TO-247S IGBTs ROHS
IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
TO247 IGBT 80A 650V TRENCH GAT
IGBT, SINGLE, 650V, 120A, TO-247; DC Collector Current: 120A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 469W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pin
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -56.29%
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current120 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation469 W
Min Operating Temperature-55 °C
Reverse Recovery Time85 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
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