STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4

Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT
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DistributorSKUMinPkg
VericalSTGW75H65DFB2-418002
Arrow ElectronicsSTGW75H65DFB2-418001
DigiKey497-STGW75H65DFB2-4-ND481Tube
TME
2
STGW75H65DFB2-4361
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Cadena de suministros

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Descripciones

Descripciones de STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4 suministradas por sus distribuidores.

Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT
Future Electronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Verical
TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7 / IGBT Trench Field Stop 650 V 115 A 357 W Through Hole TO-247-4
Win Source
Insulated Gate Bipolar Transistor, 115A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IHS
Short-circuit rugged IGBT, TO247-4, Tube
STMicroelectronics SCT
357W 115A 650V Trench Field Stop TO-247-4 IGBTs ROHS
Dasenic
TO247-4 IGBT 75A 650V HB2 SERI
Anglia
TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
Vigor Components
IGBT, SINGLE, 650V, 115A, TO-247; Continuous Collector Current:115A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.55V; Power Dissipation:357W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:4Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Newark

Imágenes

TME
LZChips
element14 APAC

Alias de fabricantes

STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics