STMicroelectronics STGW30M65DF2
$ 1.435
Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STGW30M65DF2 | 343 | 343 | |||||||||
| Arrow Electronics | STGW30M65DF2 | 330 | 330 | |||||||||
| DigiKey | 497-16485-5-ND | 598 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STGW30M65DF2 | 0 | 1 | 22h | ||||||||
| Avnet | STGW30M65DF2 | 0 | 600 | 6d |
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STGW30M65DF2 suministradas por sus distribuidores.
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
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晶体管, 晶体管, IGBT, 650V, 60A, TO-247;
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Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)650 V
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Forward Current30 A
Forward Voltage1.85 V
Max Collector Current60 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation258 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time140 ns