STMicroelectronics STGW20NB60KD
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics STGW20NB60KD.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2007-12-25
LTD Date2008-06-25
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STGW20NB60KD suministradas por sus distribuidores.
N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N-Ch 600 Volt 20 Amp
40 A 600 V N-CHANNEL IGBT TO-247AC
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Current Rating20 A
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current40 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation170 W
Reverse Recovery Time80.5 ns
Rise Time25 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics STGW20NB60KD.