STMicroelectronics STGP6NC60HD

STMICROELECTRONICS STGP6NC60HD IGBT Single Transistor, 15 A, 2.5 V, 56 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
$ 0.536
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics STGP6NC60HD.

Components Direct

Datasheet18 páginasHace 20 años

Farnell

Newark

Ciiva

Mouser

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-50.06%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de STMicroelectronics STGP6NC60HD desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
Ultra Librarian
SímboloFootprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-06-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Componentes relacionados

STMicroelectronicsSTGPL6NC60DI
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 56000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
STMicroelectronicsSTGP10NC60HD
STGP10NC60HD Series N-Channel 600 V 10 A Very Fast IGBT Flange Mount - TO-220
STMicroelectronicsSTGP10NC60KD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 20A 65W TO220
Trans IGBT Chip N-CH 650V 18A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Descripciones

Descripciones de STMicroelectronics STGP6NC60HD suministradas por sus distribuidores.

STMICROELECTRONICS STGP6NC60HD IGBT Single Transistor, 15 A, 2.5 V, 56 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62.5W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
N-channel 600V - 7A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH TM IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, TO-220; DC Collector Current: 15A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.5V; Power Dissipation Pd: 56W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins: 3Pins; Operating Tem
Igbt, To-220; Corriente De Colector Dc:15A; Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On):2.5V; Disipación De Potencia Pd:56W; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:600V; Núm. De Contactos:3; Temperatura De Trabajo Máx.:150°C |Stmicroelectronics STGP6NC60HD
Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, St Microelectronics has designed an advaced family of IGBTs, the PowerMESH(TM) IGBTs, with outstanding performances. The suffix "H" identifies a family optimized for high frequency application in order to achieve very high switching performances (reduced tfall) mantaining a low voltage drop.

Alias de fabricantes

STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics