STMicroelectronics STGP10NB60SD
$ 1.028
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-STGP10NB60SD-ND | 838 | 1 | Tube | ||||||||
| Future Electronics | STGP10NB60SD | 0 | 50 | Tube | ||||||||
| Avnet | STGP10NB60SD | 0 | 1K | 15h | ||||||||
| Mouser | 511-STGP10NB60SD | 754 | 1 | Tube | ||||||||
| Farnell | STGP10NB60SD | 0 | 1 | 13h |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de STMicroelectronics STGP10NB60SD desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 SnapEDA | Footprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-12-19
LTD Date2026-06-19
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTGF10NB60SD
STGF10NB60SD Series 600 V 23 A Through Hole Silicon IGBT - TO-220FP
STMicroelectronicsSTGF14NC60KD
STGF14NC60KD Series 600 V 11 A Flange Mount Short-Circuit Rugged IGBT - TO-220FP
InfineonIRG4IBC20KDPBF
600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a TO-220 FullPak package, FULLPAK220-3COPAK, RoHS
STMicroelectronicsSTGF7NC60HD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STGP10NB60SD suministradas por sus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube
16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diode
Insulated Gate Bipolar Transistor, 29A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH
IGBT, TO-220; DC Collector Current: 20A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.7V; Power Dissipation Pd: 80W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins: 3Pins; Operating Tem
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.25 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Drain Current (ID)10 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Element ConfigurationSingle
Forward Current20 A
Forward Voltage1.9 V
Max Collector Current29 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation31.5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Reverse Recovery Time37 ns
Rise Time460 ns
Turn-Off Delay Time1.2 µs
Turn-On Delay Time700 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant