STMicroelectronics STGB7H60DF
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-06-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-12-19
LTD Date2026-06-19
Componentes relacionados
InfineonIRGS4B60KD1PBF
Tube Surface Mount NPT ROHS3Compliant IGBT Transistor 2.5V @ 15V 4A 11A 63W 93ns
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STGB7H60DF suministradas por sus distribuidores.
H Series 600 V 7 A Surface Mount Trench Gate Field-Stop IGBT - D2PAK
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Low thermal resistance | IGBT 600V 14A 88W D2PAK
Short-circuit rugged IGBT, D2PAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Igbt |Stmicroelectronics STGB7H60DF
IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-263
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.95 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Forward Current7 A
Forward Voltage1.5 V
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current14 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation88 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Reverse Recovery Time136 ns
Schedule B8541290080
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