STMicroelectronics STGB30M65DF2
$ 1.181
Production
Precio y existencias
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | STGB30M65DF2 | 3000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Verical | STGB30M65DF2 | 13.000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | STGB30M65DF2 | 13.000 | 1K | |||||||||
| DigiKey | 497-15843-1-ND | 1884 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STGB30M65DF2 | 25 | 1 | 2h |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-04-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STGB30M65DF2 suministradas por sus distribuidores.
IGBT 650V 30A D2PAK / IGBT Trench Field Stop 650 V 60 A 258 W Surface Mount D²PAK (TO-263)
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
258W 60A 650V FS(Field Stop) D2PAK IGBT Transistors / Modules ROHS
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IGBT, SINGLE, 650V, 60A, TO-263-3; DC Collector Current: 60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.55V; Power Dissipation Pd: 258W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)650 V
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Forward Current30 A
Forward Voltage1.85 V
Max Breakdown Voltage650 V
Max Collector Current60 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation258 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Reverse Recovery Time140 ns
Schedule B8541290080
Fichas técnicas y documentos
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