STMicroelectronics STGB15H60DF
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-08-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STGB15H60DF suministradas por sus distribuidores.
Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
115W 30A 600V FS(Field Stop) D2PAK IGBT Transistors / Modules ROHS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IGBT, SINGLE, 600V, 30A, TO-263; Continuous Collector Current:30A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:115W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight2.000002 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Forward Current15 A
Forward Voltage1.8 V
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current30 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation115 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Reverse Recovery Time103 ns
Schedule B8541290080
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
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