STMicroelectronics STFH10N60M2
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-08-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2025-09-29
LTD Date2026-03-29
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MOSFET N-CH 600V 9.1A TO220-FP N-Channel 600 V 9.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
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MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-FP N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
InfineonIPA60R650CEXKSA1
Single N-Channel 600 V 0.65 Ohm 20.5 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STFH10N60M2 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creepage package
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP / N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FPAB
N-Channel 600 V 600 mOhm Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Wide Creepage Tube
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 600V, 7.5A, TO-220FP-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7.5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V;
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)600 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max600 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
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