STMicroelectronics STF40NF20
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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InfineonIRFIB41N15DPBF
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150V Single N-Channel PDP Switch HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Full-Pak package
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STF40NF20 suministradas por sus distribuidores.
Transistor MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin (3+Tab) TO-220FP Tube
STF40NF20 N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 200 V, 3-Pin TO-220FP
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 20 A, 0.038 ohm, TO-220FP, Through Hole
40W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 75nC@ 10 V 1N 200V 45m¦¸@ 20A,10V 40A 2.5nF@25V TO-220FP 20mm
N-channel 200V - 0.038Ohm -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247
40 A 200 V 0.045 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 200V, 40A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):38mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:40W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:40A; Package / Case:TO-220FP; Power Dissipation Pd:40W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Current Rating40 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation40 W
Rds On Max45 mΩ
Resistance45 MΩ
Rise Time44 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time74 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant