STMicroelectronics STD95N2LH5
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-07-27
LTD Date2025-01-27
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N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STD95N2LH5 suministradas por sus distribuidores.
Mosfet Transistor, N Channel, 40 A, 25 V, 3.8 Mohm, 10 V, 1 V |Stmicroelectronics STD95N2LH5
STD95N2LH5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 80 A, 25 V, 3-PIN TO-252
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 25V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 25V, 80A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):3.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:70W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:80A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:70W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:22V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Dual Supply Voltage25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)22 V
Input Capacitance1.817 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation70 W
Rds On Max4.5 mΩ
Resistance4.5 mΩ
Rise Time38 ns
TerminationSMD/SMT
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant