STMicroelectronics STD80N6F6
$ 0.835
Production
Precio y existencias
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Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | STD80N6F6 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Microchip USA | STD80N6F6 | 2918 | 3K | Tray | 3d | |||||||
| Win Source | WS-STD80N6F6 | 32.700 | 45 | 1h | ||||||||
| Worldway Electronics | STD80N6F6 | 18.997 | 7 | Tape & Reel | 1d | |||||||
| Aztech | STD80N6F6 | 10.922 | 2d |
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Tendencia de 3 meses: -2.21%
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)
Componentes relacionados
InfineonAUIRLR3636TRL
TAPE AND REEL / Automotive MOSFET LL 60V, 99A, 8.3 mOhm, 33 nC Qg, DPak
InfineonAUIRFR1010ZTRL
Automotive 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
InfineonAUIRFR1010Z
Advanced Process Technology / Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STD80N6F6 suministradas por sus distribuidores.
STD80N6F6 N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 60 V, 3-Pin D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.48 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation120 W
Rds On Max6.5 mΩ
Resistance5 mΩ
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant