STMicroelectronics STD7NM64N
$ 1.02
Obsolete
Precio y existencias
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Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STD7NM64N | 0 | 2500 | 15h | ||||||||
| Mouser | 511-STD7NM64N | 532 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Microchip USA | STD7NM64N | 351 | 3K | Tray | 5h | |||||||
| Component Stockers USA | STD7NM64N | 8648 | 1d | |||||||||
| Win Source | WS-STD7NM64N | 2690 | 40 | 14h |
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-08-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTD7ANM60N
N-channel 600 V, 5 A, 0.84 Ohm typ., MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package
InfineonIPD80R1K0CEATMA1
TRANSISTOR, MOSFET, 800V COOLMOS CE POWER, N-CHANNEL, 800V, 18A, TO252
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STD7NM64N suministradas por sus distribuidores.
N-channel 640 V, 5 A, 0.88 Ohm typ. MDmesh(TM) II Power MOSFET in a DPAK package
Low input capacitance and gate charge | MOSFET N-CH 640V 5A DPAK
Trans MOSFET N-CH 640V 5A 3-Pin DPAK T/R
Ptd High Voltage |Stmicroelectronics STD7NM64N
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage640 V
Drain to Source Resistance1.05 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)640 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance363 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max1.05 Ω
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Fichas técnicas y documentos
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