STMicroelectronics STD60NF3LLT4
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STD60NF3LLT4 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 30 V, 0.0075 Ohm typ., 60 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package
N-Channel 30 V 0.0095 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet - TO-252-3
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power MOSFET Transistors N-Ch 30 Volt 60 Amp
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Ptd High Voltage |Stmicroelectronics STD60NF3LLT4
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Current Rating60 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time36.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance2.21 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation100 W
Rds On Max9.5 mΩ
Resistance9.5 mΩ
Rise Time130 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36.5 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant