STMicroelectronics STD5NK50ZT4
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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STMicroelectronicsSTD6NK50ZT4
N-CHANNEL 500V - 0.93͐2;6; - 5.6A DPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET
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N-Channel 400V - 0.85 Ohm - 5.4A Zener-Protected SuperMESH(TM) POWER MOSFET
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STD5NK50ZT4 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in DPAK package
STD5NK50ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4.4 A, 500 V, 3-PIN DPAK
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 4.4 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
N-CHANNEL 500 V-1.22 OHM-4.4 A SUPERMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
70W(Tc) 30V 4.5V@ 50µA 28nC@ 10 V 1individualNChannel 500V 1.5Ω@ 2.2A,10V 4.4A 535pF@25V DPAK，TO-252-3 SMD mount 2.63mm(height)
MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.4A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.75V; Power Dissipation
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Current Rating4.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance535 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation70 W
Rds On Max1.5 Ω
Resistance1.5 Ω
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant