STMicroelectronics STD38NH02LT4

Name: STMicroelectronics STD38NH02LT4
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD38NH02LT4

Power MOSFET Transistors N-Ch 24 Volt 38 Amp

Obsolete

Página del fabricante Ficha técnica

Precio y existencias

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Farnell	STD38NH02LT4	0	1		1,488*	1,488*	1,014*	0,636*	0,636*	3h
Win Source	WS-STD38NH02LT4	31.200	70				0,875	0,584	0,584	4h
Worldway Electronics	STD38NH02LT4	28.614	7	Tape & Reel		0,168	0,163	0,155	0,155	5h
Aztech	STD38NH02LT4	10.634			3,410	3,410	3,410	3,410	3,410	32m
Anlinkda	STD38NH02LT4	32.136			0,748	0,670	0,577	0,567	0,546	1d

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Fichas técnicas y documentos

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IHS

Datasheet16 páginasHace 20 años

Mouser

iiiC

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1980-01-04

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2010-09-30

LTD Date2011-03-30

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Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 6.8ns

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Diodes Inc.DMN3010LK3-13

Mosfet, N-Ch, 30V, 43A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3010LK3-13

Detalles

Descripciones

Descripciones de STMicroelectronics STD38NH02LT4 suministradas por sus distribuidores.

Power MOSFET Transistors N-Ch 24 Volt 38 Amp

Mouser

MOSFET N-CH 24V 38A DPAK

DigiKey

Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 24V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 38A; Drain Source Voltage Vds: 24V; On Resistance Rds(on): 0.0135ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.8V; Power Dissipation

Farnell

Imágenes

Lanka Micro

iiiC

Alias de fabricantes

STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

Modelos CAD

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Componentes alternativos

0 piezas disponibles

Especificaciones técnicas

Physical

Case/PackageTO-252-3

MountSurface Mount

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)38 A

Current Rating38 A

Drain to Source Breakdown Voltage24 V

Drain to Source Resistance13.5 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)24 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time12 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.07 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation40 W

Min Breakdown Voltage24 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation40 W

Rds On Max13.5 mΩ

Rise Time62 ns

Turn-Off Delay Time25 ns

Voltage Rating (DC)24 V

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Datasheet16 páginasHace 20 años

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Cumplimiento

Clasificación ambiental

China RoHSNon-Compliant

REACH SVHCNo

RoHSCompliant