STMicroelectronics STD35NF06LT4
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Production
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STD35NF06LT4 | 1914 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | STD35NF06LT4 | 5000 | 2500 | |||||||||
| Verical | STD35NF06LT4 | 5000 | 2500 | |||||||||
| Future Electronics | STD35NF06LT4 | 17.500 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| TME | STD35NF06LT4 | 2307 | 1 | 14h |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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InfineonIPD350N06LGBTMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / OptiMOS® Power-Transistor
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STD35NF06LT4 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 60 V, 0.014 Ohm typ., 35 A StripFET II Power MOSFET in a DPAK package
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 35 A, 17 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
STD35NF06LT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 35 A, 60 V, 3-PIN TO-252
Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N CH, 60V, 35A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17.5A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power
Mosfet, N Channel, 60V, 35A, Dpak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:17.5A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:60V; Resistencia De Activación Rds(On):14Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STD35NF06LT4
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Current Rating35 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation80 W
Rds On Max17 mΩ
Resistance17 mΩ
Rise Time100 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height2.63 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant