STMicroelectronics STD2NC45-1
$ 0.365
NRND
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.95%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de STMicroelectronics STD2NC45-1 desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STD2NC45-1 suministradas por sus distribuidores.
N-CHANNEL 450V 4.1OHM 1.5A IPAK SuperMESH POWER MOSFET
Trans MOSFET N-CH 450V 1.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Hv Mosfet Planar |Stmicroelectronics STD2NC45-1
30W(Tc) 30V 3.7V@ 250¦ÌA 7nC@ 10 V 1N 450V 4.5¦¸@ 500mA,10V 1.5A 160pF@25V IPAK,TO-251 6.6mm*2.4mm*6.2mm
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 450V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
Power MOSFETs, 450V, 1.5A, IPAK, Tube
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.5A; Drain Source Voltage Vds:450V; On Resistance Rds(on):4.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:30W; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:I-PAK; Current Id Max:1.5A; Current Temperature:25°C; Fall Time tf:12ns; Full Power Rating Temperature:25°C; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:30W; Power Dissipation Pd:30W; Power Dissipation Ptot Max:30W; Pulse Current Idm:6A; Rise Time:4ns; Termination Type:Through Hole; Turn Off Time:8.5ns; Turn On Time:6.7ns; Voltage Vds:450V; Voltage Vds Typ:450V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.95%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage450 V
Drain to Source Resistance4.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)450 V
Dual Supply Voltage450 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance160 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage450 V
Min Operating Temperature-65 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max4.5 Ω
Rise Time4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time8.5 ns
Turn-On Delay Time6.7 ns
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant