STMicroelectronics STD2N80K5
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-07-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIPD60R3K3C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 / Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
InfineonIPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 / N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STD2N80K5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in DPAK package
STD2N80K5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2 A, 800 V, 3-PIN DPAK
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 800V, 2A, TO-252; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:2A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Qualification:-RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -14.12%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance4.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance95 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max4.5 Ω
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant