STMicroelectronics STD2HNK60Z-1

N-channel 600 V, 4.4 Ohm, 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in IPAK package
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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsSTD2HNK60Z-13041
VericalSTD2HNK60Z130414
DigiKey497-12783-5-ND20791Tube
TME
2
STD2HNK60Z-103K
12h
Future ElectronicsSTD2HNK60Z-103KTube

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Newark

Datasheet22 páginasHace 14 años

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Descripciones

Descripciones de STMicroelectronics STD2HNK60Z-1 suministradas por sus distribuidores.

N-channel 600 V, 4.4 Ohm, 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in IPAK package
STMicroelectronics
N-channel 600 V, 3.5 OHM typ., 2 A SuperMESH Power MOSFET in DPAK and IPAK packages Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N, I-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 4.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation P
Farnell
N Channel Mosfet, 600V, 2A, To-251; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:2A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:600V; Resistencia De Activación Rds(On):4.4Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STD2HNK60Z-1
Newark

Imágenes

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Alias de fabricantes

STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • STD2HNK60Z1