STMicroelectronics STB4NK60Z-1
$ 0.277
Production
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STB4NK60Z-1 | 5000 | 1K | |||||||||
| TME | STB4NK60Z-1 | 0 | 1K | 23h | ||||||||
| Avnet | STB4NK60Z-1 | 0 | 2K | 10h | ||||||||
| Microchip USA | STB4NK60Z-1 | 1204 | 3500 | Tray | 4d | |||||||
| Win Source | WS-STB4NK60Z-1 | 1300 | 55 | 8h |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
onsemiFQI5N50CTU
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTFI4N62K3
N-channel 620 V, 1.7 Ohm typ., 3.8 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STB4NK60Z-1 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in I2PAK
70W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 26nC@ 10 V 1N 600V 2¦¸@ 2A,10V 4A 510pF@25V I2PAK 10mm*4.4mm*8.95mm
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) I2PAK T/R
STB4NK60 Series 600 V 4 A 70 W Through Hole N-Ch Power MOSFET - I2PAK
4 A 600 V 2 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-262AA
Hv Mosfet Planar |Stmicroelectronics STB4NK60Z-1
MOSFET N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A
600 V, 4 A, 1.76 OHM N-CHANNEL SUPERMESH POWER MOSFET IN I2PAK Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Power MOSFETs, 600V, 4A, I2PAK, Tube
STMicroelectronics SCT
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance510 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max2 Ω
Rise Time9.5 ns
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time12 ns
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant