STMicroelectronics STB120NF10T4
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight13.607771 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Current Rating120 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance10.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time68 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation312 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation312 W
Rds On Max10.5 mΩ
Resistance10.5 mΩ
Rise Time90 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time132 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant