STMicroelectronics SMLVT3V3
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.50
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Componentes relacionados
VishayVSSB310-E3/52T
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.9A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AA
VishayVSSB410S-E3/52T
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.9A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AA
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics SMLVT3V3 suministradas por sus distribuidores.
Diode Transient Voltage Suppression (TVS) Single Unidirectional 3.3 Volt 600 Watt 2-Pin SMB
SMLVT Series 600 W 3.3 V Uni Directional Transil TVS Diode - DO-214AA
DIODE, TVS, UNIDIR; Product Range:-; TVS Polarity:Unidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:3.3V; Clamping Vc Max:10.3V; Diode Case
Direction Type = Uni-Directional / Reverse Stand-off Voltage Max. V = 3.3 / Clamping Voltage V = 10.3 / Peak Pulse Power Dissipation W = 600 / Peak Pulse Current A = 200 / Breakdown Voltage Min. V = 4.1 / Capacitance nF = 5.2 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Reverse Leakage Current Max. uA = 200 / Pins = 2 / Package Type = DO-214AA, SMB / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSMB
MountSurface Mount
Number of Pins2
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Breakdown Voltage4.1 V
Capacitance5.2 nF
Clamping Voltage7.3 V
CompositionZener
DirectionUnidirectional
Element ConfigurationSingle
Leakage Current200 µA
Max Breakdown Voltage4.1 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation6 W
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)3.3 V
Max Reverse Leakage Current200 µA
Max Surge Current40 A
Min Breakdown Voltage4.1 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Number of Unidirectional Channels1
Operating Supply Voltage3.3 V
Peak Pulse Current50 A
Peak Pulse Power 600 W
Peak Reverse Current200 nA
PolarityUnidirectional
Power Line ProtectionNo
Power Rating600 W
Reverse Breakdown Voltage4.1 V
Reverse Standoff Voltage3.3 V
Schedule B8541100080
TerminationSMD/SMT
Test Current1 mA
Voltage Rating (DC)3.3 V
Working Voltage1.25 V
Dimensions
Height2.65 mm
Length4.6 mm
Width3.95 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant