STMicroelectronics SD57030
$ 54.039
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | SD57030-STM-0 | 50 | 25 | 8h | ||||||||
| Avnet | SD57030 | 0 | 50 | 1d | ||||||||
| Microchip USA | SD57030 | 415 | 50 | Box | 3d | |||||||
| Component Stockers USA | SD57030 | 22.514 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-SD57030 | 20 | 1 | 10h |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics SD57030.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics SD57030 suministradas por sus distribuidores.
30W 28V HF to 1GHz LDMOS TRANSISTOR
Transistor RF FET N-CH 65V 4A 945MHz 3-Pin Case M-243
Single N-Channel 65 V 74 W Silicon Mosfet - M-243
RF & Microwave Transistors N-Ch 65 Volt 4 Amp
RF power transistor, the LdmoST family
STMicroelectronics SCT
UHF BAND Si N-CHANNEL RF POWER MOSFET
74W 20V 1N 65V 4A 58pF@ 28V M-243-3 20.57mm*6.1mm*4.45mm
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Rf Power |Stmicroelectronics SD57030
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
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Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageM
MountScrew
Number of Pins243
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Current Rating4 A
Drain to Source Breakdown Voltage65 V
Drain to Source Voltage (Vdss)65 V
Element ConfigurationSingle
Frequency945 MHz
Gain13 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance58 pF
Max Frequency1 GHz
Max Operating Temperature200 °C
Max Output Power30 W
Max Power Dissipation74 W
Min Breakdown Voltage65 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Operating Supply Voltage28 V
Output Power30 W
Power Dissipation74 W
Power Gain15 dB
Test Current50 mA
Test Voltage28 V
Voltage Rating65 V
Voltage Rating (DC)65 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant