STMicroelectronics BD237
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Production
Precio y existencias
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Tendencia de 3 meses: -15.73%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginIndia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics BD237 suministradas por sus distribuidores.
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Npn, 80 V, 3 Mhz, 25 W, 2 A, 40 Rohs Compliant: Yes
Single Bipolar Transistor, NPN, 80 V, 2 A, 25 W, SOT-32 (TO-126), 3 Pins, Through Hole
BD237 Series 80 V 2 A 25 W NPN Low Voltage Power Transistor - SOT-32
TRANS NPN 80V 2A SOT-32 / Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
LOW VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
BD237 NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 2 A, 80 V, 3-PIN SOT-32
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
TRANSISTOR, NPN, TO-126; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 3MHz; Power Dissipation Pd: 25W; DC Collector Current: 2A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transistor Case Style:
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -15.73%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-32
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min25
Max Collector Current2 A
Max Frequency3 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation25 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height10.8 mm
Length7.8 mm
Width2.7 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant