STMicroelectronics 2STF2340
Obsolete
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2014-01-23
LTD Date2014-07-23
Componentes relacionados
Diodes Inc.FCX1051ATA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 5 A, 2 W, SOT-89, Surface Mount
Diodes Inc.DPLS350Y-13
Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS PNP 50V 3A SOT89-3
onsemiFJC1963RTF
Trans GP BJT NPN 30V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS NPN 30V 3A SOT-89
onsemi2SD1624S-TD-E
Bipolar Transistor, (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP. ONSSPCDDENY1E7M;
onsemi2SB1124T-TD-E
Bipolar Transistor, (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP, SOT-89 / PCP-1, 1000-REEL
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics 2STF2340 suministradas por sus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Transistor GP BJT PNP 40V 3A 4-Pin (3+Tab) SOT-89 T/R
Transistor NPN 40V 3A 100MHz SOT89
Low voltage fast-switching PNP power transistor
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage350 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current3 A
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation1.4 W
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant