STARPOWER GD600HFY120P1S

Insulated Gate Bipolar Transistor, 951A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
$ 327.96
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Precio y existencias

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DistributorSKUMinPkg
NewarkGD600HFY120P1S01
FarnellGD600HFY120P1S01
18h
element14 APACGD600HFY120P1S01
7h

Fichas técnicas y documentos

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Ficha técnica oficialHace 10 años

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Tendencia de 3 meses:
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Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Descripciones

Descripciones de STARPOWER GD600HFY120P1S suministradas por sus distribuidores.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 951A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IHS
Starpower GD600HFY120P1S IGBTモジュール
RS APAC
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.2KV, 951A;
Farnell
IGBT, HALF BRIDGE, 1.2KV, 951A, MODULE; Continuous Collector Current:951A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.7V; Power Dissipation:3.1kW; Operating Temperature Max:150°C; IGBT Termination:Stud; Transistor Mounting:Panel RoHS Compliant: Yes
Newark

Alias de fabricantes

STARPOWER tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STARPOWER también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
  • STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • StarPower Europe AG